三极管发射结电流由于发射结外加正向电压,发射区的多子电子将不断通过发射结扩散到基区,形成发射结扩散电流Ien.同时,基区的多子空穴也要扩散到发射区,形成空穴扩散电流Iep.两者构成发

三极管发射结电流由于发射结外加正向电压,发射区的多子电子将不断通过发射结扩散到基区,形成发射结扩散电流Ien.同时,基区的多子空穴也要扩散到发射区,形成空穴扩散电流Iep.两者构成发
三极管发射结电流
由于发射结外加正向电压,发射区的多子电子将不断通过发射结扩散到基区,形成发射结扩散电流Ien.同时,基区的多子空穴也要扩散到发射区,形成空穴扩散电流Iep.两者构成发射结电流Ie=Ien+Iep.空穴的移动实际上是束缚电子的移动.上面Ien不是应该包含Iep吗?Ien是由自由电子的移动和价电子的移动所形成的电流和吧?也就是说Ien=Iep+未被复合的电子的移动所形成的电流,

三极管发射结电流由于发射结外加正向电压,发射区的多子电子将不断通过发射结扩散到基区,形成发射结扩散电流Ien.同时,基区的多子空穴也要扩散到发射区,形成空穴扩散电流Iep.两者构成发
这里的空穴移动主要是扩散的关系,不会束缚电子的移动.
Ien是扩散电子的电流,电子主要是导带的电子即平衡态的电子和非平衡态的电子,以自由电子和价电子区分欠妥.
在基区影响从发射区扩散的电子的空穴是复合的空穴电流,与扩散到发射区的不同.
因为发射结是单边突变结,所以要注意扩散区的大小以及电荷总量