什么是晶体管的临界饱和状态?有何特点?

来源：学生作业帮助网 编辑：作业帮 时间：2024/05/05 07:13:49
什么是晶体管的临界饱和状态?有何特点?

什么是晶体管的临界饱和状态?有何特点?
什么是晶体管的临界饱和状态?有何特点?

什么是晶体管的临界饱和状态?有何特点?
发射结正偏,集电结刚好达到正偏（不是Vbc>0,而是Vbc=Vbc(on),NPN硅管Vbc(on)=0.4V),.特点1:Vce很小约0.3V(Vce(sat)=-Vbc+Vbc=-0.4+0.7=0.3V),因此相当于C,E极间短路或电阻很小.2：Vce很小变化就使Ice急剧改变3：Ib与Ic在临界时仍可用Ic=βIb,但进入饱和Ic

临界饱和状态是三极管Vce极接近其饱和电压的状态.
在这个状态下三极管开关速度最高, 损耗小.

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