形成pn结经过了多子的（扩散）运动和勺子的（漂移）运动,我填的是扩散和漂移,但是答案是多子漂移,少子形成pn结经过了多子的（ ）运动和少子的（ ）运动,我填的是扩散和漂移,但是答案

形成pn结经过了多子的（扩散）运动和勺子的（漂移）运动,我填的是扩散和漂移,但是答案是多子漂移,少子形成pn结经过了多子的（ ）运动和少子的（ ）运动,我填的是扩散和漂移,但是答案 PN结电荷区不是因为扩散运动形成的,加正电场扩散变强了,电荷不是变多了,为什么还变窄了? 在pn结中 电子和空穴为什么有扩散运动?扩散运动的原因是什么? PN结是扩散运动形成的,但正偏电压为什么说使PN结变窄呢?扩散运动越强pn结不是越宽吗?而外正电场不是使扩散变强吗? PN结是扩散运动形成的,但正偏电压为什么说使PN结变窄呢?扩散运动越强pn结不是越宽吗?而外正电场不是使扩散变强吗? (physics)什么是扩散运动和漂移运动?注：在学PN结时遇到的问题. 假如PN结处没有电子的扩散（不形成空间电荷区）,那么PN结还具有整流特性吗?这个字数限制太恶心了。 pn结外加正电压为什么变窄?多子扩散是怎么样的过程? PN结中内电场阻止多子扩散的详细机理是什么?假如我把N型半导体换成金属片,是否能形成极限不对称pn结?我的个人理解是：当p区耗尽区的空穴被填充，这个三价杂质和硅形成的稳定结构，但 关于PN结中的电子和空穴电子和空穴在PN结交界处会复合,其实质就是扩散运动.如果再外加一个正向偏置电压,就相当于减小了PN结处空间电荷区的场强,使得扩散运动加剧,但依旧会复合.那一个 PN结空间电荷区内的载流子为什么不多?少了的那些载流子都哪里去了啊?当p型半导体和n型半导体接触的时候，载流子会进行扩散，然后形成pn结，在形成空间电荷区后达到平衡态。但是在这 三极管基极电流形成的一点疑问关于扩散运动形成发射极电流IE和漂移运动形成集电极电流IC都可以明白,但是载流子复合形成基极电流IB无法理解,看PN结的那个章节时,似乎并没有提到复合也 关于PN结形成,当自动扩散形成后,P区的空穴 进入N 区 和N 区的电结 合 ,之后为什么带正电 关于pn结中多子少子在书中看到:正向偏置有利于多子扩散,反向偏置有利于少子漂移.但老师说PN结的耗尽区中电子和空穴浓度梯度下降或上升,不存在严格意义上的多子和少子.一般多子和少子 PN结电子扩散原理我们书上有一段写的是P区及N区各自的多子向对方扩散,但是,扩散的原理是什么?是因为电荷的互相吸引吗? 载流子的扩散和漂移为什么说漂移会使PN结变窄,扩散使PN结变宽?扩散为横向,漂移为纵向?请说明白点,呵呵,不懂! PN结形成时扩散和漂移是同时进行的吗我就是想知道是先扩散形成的空间电荷层,后有漂移,还是同时进行的,就那个动态平衡不太明白 PN结外加反向电压,为什么处于截止状态书上说外反向电压使空间电荷区变宽,加强了内电场,阻止扩散运动,加剧飘逸运动,形成反向电流,因为少子的数目极少,即使所有的少子都参与飘移运动,反