为什么掺杂浓度越高,PN结越窄?P,N都是高掺杂的情况下,为什么PN结却越窄了

为什么掺杂浓度越高,PN结越窄?P,N都是高掺杂的情况下,为什么PN结却越窄了 模电二极管PN结问题PN结掺杂程度越高,其耗尽层越窄,为什么? 关于半导体掺杂.q(ND + p - NA - n) = 0怎么看出电中性的?ND 磷的浓度 NA硼的浓度 P空穴 N 电子还有为什么会有pn = ni2? 为什么PN节掺杂浓度越大热平衡载流子浓度就越小? PN结的掺杂浓度是什么? 为什么pn结击穿电压随掺杂浓度升高而降低? 关于半导体掺杂浓度与PN结耗尽层宽度问题扩散是由于浓度差引起的,应该是浓度越大,扩散能量越强,那么耗尽层也应该越宽啊.实际却是掺杂浓度越大,耗尽层越窄.为什么呢?既然掺杂浓度越大, PN结在高掺杂的情况下,耗尽层宽度为什么变窄 不同掺杂浓度的PN结的电位差是否相同 模电 书中说 在掺杂浓度不对称的PN结中 耗尽区在重掺杂一边延伸较小 而在轻掺杂一边延伸较大 这是为什么啊 自学模电不易 为什么nmos器件,poly掺杂掺n+和p+阈值电压相差一个禁带宽度? PN结在高掺杂的情况下,耗尽层宽度为什么变窄请给出详细的,概念比较清楚的答案 PN结的哪端电势高,为什么第一张图P区电势高于N区Vbi,而第二张N高于P区Vbi, PN结的哪端电势高,为什么第一张图P区电势高于N区Vbi,而第二张N高于P区Vbi, PN节二极管 由于半导体掺杂 P型半导体是空穴多于电子 N型半导体是电子多于空穴 这样P和N组合就有了一个PN节 当电子和空穴复合就形成了内电厂（PN节）.当加上外电场时P区接+N区—时（电子 PN结的扩散电流,N区向P区 电子浓度 的原因朝一个方向流,为什么反方向是扩散电流的方向?原因? PN结光生载流子的扩散,为什么不是从高浓度到低浓度? PN结电势差疑问在半导体体中,PN结中的N区的电势比P区高,请问N区中每一点电势都相等吗?