PN结耗尽层中的杂质离子为什么不能移动?

PN结耗尽层中的杂质离子为什么不能移动? 为什么PN结又叫做阻挡层和耗尽层? PN结在高掺杂的情况下,耗尽层宽度为什么变窄 当PN结外加正向电压时,由于空穴或电子中和了不能移动的杂质正负离子,使空间电荷区变窄由于空穴或电子中和了不能移动的杂质正负离子,使空间电荷区变窄,那么在杂质半导体中,空穴或自由 1.当PN结外加正向电压时,耗尽层的宽度将变（） PN结空间电菏区是耗尽层,怎么还有扩散电流和返回电流平衡的说法 PN结在高掺杂的情况下,耗尽层宽度为什么变窄请给出详细的,概念比较清楚的答案 模电二极管PN结问题PN结掺杂程度越高,其耗尽层越窄,为什么? PN结耗尽层宽度跟参杂浓度的关系不明白为什么高参杂的时候耗尽层宽度很窄?齐纳击穿说不大的反向电压就可以在耗尽层形成很强的电厂,而直接破坏共价键,这句话不太明白,可不可以这样理 关于半导体掺杂浓度与PN结耗尽层宽度问题扩散是由于浓度差引起的,应该是浓度越大,扩散能量越强,那么耗尽层也应该越宽啊.实际却是掺杂浓度越大,耗尽层越窄.为什么呢?既然掺杂浓度越大, PN结的方向饱和电流的大小 和 雪崩电压的大小由上面特性决定的?这个问题主要问的是 反向电流 雪崩电压 由PN结那些特性决定?比如扩散浓度 梯度 耗尽层特性 杂质等方面.对于光线和温度,我 盐桥中的离子可以移动,为什么溶液中的离子不能到盐桥中? PN结势垒电容随外加电压变化的问题,PN结正偏压增大时,耗尽层变窄,耗尽层电荷量减少,也就是存储的电荷量减少,势垒电容应该减小才对啊?为什么书上说正偏压增大,势垒电容增大?难道势垒电 为什么三极管PN结中的电场能阻止电子与空穴的移动?为什么三极管PN结中的电场能阻止两边的电子与空穴的移动? 为什么三极管PN结中的电场能阻止电子与空穴的移动? PN结为什么在加反向电压时,耗尽层会变大 为什么高掺杂的半导体耗尽层窄 关于PN结的问题《模拟电子技术基础》中说PN结中的内建电场是由于P区带有不能自由移动的负电荷,而N区带有不能自由移动的正电荷,所以PN结之间就会产生一个由N指向P的内建电场,但是我想问